Page 14 - TSMC 2020 年報
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特殊製程技術
● N7技術基礎矽智財(Foundation IP)已於民國一百零九 年通過車用電子協會(Automotive Electronic Council AEC)AEC-Q100 Grade-1驗證,並且獲得功能性安全標 準ISO 26262 ASIL-B認證。此外,台積公司持續開發5奈 米車用基礎矽智財,並預計於民國一百一十一年通過 AEC-Q100 Grade-2驗證。
● N6射頻(Radio Frequency RF)(N6 RF)技術於民國一 百零九年進行開發。此一技術係建構於N6邏輯技術平 台之上,並增加了高性能RF電晶體和被動元件,協助在 功耗及晶片面積大小方面,具備更有效率的電路設計。 此一新的射頻技術將能協助實現未來世代的無線區域 網路(Wireless Local Area Network WLAN)和第五代 (5G)射頻收發器集成電路。此一技術的設計套件預計 將於民國一百一十年完成。
● 16FFC RF技術於民國一百零七年領先專業積體電路製 造服務領域,為客戶量產第五代行動網路晶片。此一技 術也擴展至WLAN Wi-Fi 6/6E,與5G通訊中小於6吉赫 茲(G H z)頻 段 射 頻 頻 收 發 器 和 毫 米 波(m m m W a v e)應 用。 台積公司持續精進此一技術,不僅在民國一百零八年領 先全球推出首個截止頻率(Cut-off Frequency fT)超 過300吉赫茲的FinFET元件,亦領先全球完成震盪頻率 (Maximum Clock Frequency fmax)超過400 GHz的最 佳FinFET元件的開發。這些高性能RF電晶體適用於多種 不同應用,例如毫米波汽車雷達能夠降低晶片功耗和晶 粒尺寸,並支援單晶片(System on a Chip SoC)設計。 民國一百零九年係台積公司為客戶大量量產16FFC RF產 品的第二年。
● 22ULL類比技術平台於民國一百零九年建置完成,與 數位邏輯製程完全相容,提供低雜訊2 5伏特輸入輸出 埠(Input/Output IO)電晶體以及低溫度係數(Low Temperature Coefficient of Resistance TCR)氮化鉭 (Tantalum Nitride TaN)薄膜電阻,以支援客戶差異 化的類比電路設計。此外,台積公司提供隨機電報訊號 (Random Telegraph Signal RTS)雜訊準則,協助客戶 因應RTS雜訊逐漸日增的挑戰,特別是在低功耗類比設 計電路方面。
● 22ULL RF技術於民國一百零九年接獲超過20位客戶 的產品投片(Tape-outs),涵蓋包括4G射頻和物聯 網(IoT)的無線連接等應用。此一技術術除了能夠支 援磁性隨機存取記憶體(Magnetic Random Access
Memory MRAM)及電阻式隨機存取記憶體(Resistive Random Access
Memory RRAM)之外,亦能支援無線 區域網絡功率放大器 (Wireless LAN Power Amplifier) 元件與極低漏電(Ultra-Low Leakage)元件。
● 22ULL嵌入式RRAM技術,於民國一百零九年完成矽智 財(IP)可靠性認證。此一技術是繼40ULP嵌入式RRAM 技術之後,台積公司第二代RRAM解決方案,具備成 本和可靠性的平衡。這項技術和互補式金屬氧化物半 導體(Complementary Metal Oxide Semiconductor CMOS)邏輯製程完全相容,能夠重複使用製程設計套 件(Process Design Kit PDK)和矽智財,並支援各種不 同應用,包括物聯網微控制器(IoT MCU)及可穿戴設備 等應用。 ● 22ULL嵌入式MRAM技術矽智財於民國一百零九年完成 可靠性認證,具有超過10萬次的循環壽命和回流焊接能 力。此一技術展現了汽車AEC-Q100 Grade-1能力,並且 已經於民國一百零九年開始為客戶量產穿戴式產品。這 項技術和互補式金屬氧化物半導體邏輯製程完全相容, 能夠重複使用製程設計套件和矽智財,並支援各種不同 應用,例如物聯網微控制器及可穿戴設備等應用。
● 28HPC+ RF於民國一百零七年領先積體電路製造服務 領域,提供首個RF製程設計套件,支援110吉赫茲毫米波 和150°C車用規格等元件,以支援5G毫米波射頻及車用 雷達產品的設計。民國一百零八年,28HPC+ RF技術新 增支援極低漏電元件及嵌入式快閃記憶體(Embedded Flash)。採用此一技術的客戶5G毫米波射頻、車用雷達, 及無線連接產品已於民國一百零九年開始量產。
● 28奈米ULL嵌入式快閃記憶體製程(eFlash)技術,已於 民國一百零八年通過AEC-Q100 Grade-1可靠性認證。台 積公司持續強化此一技術,並預計於民國一百一十年通 過更嚴格的AEC-Q100 Grade-0要求。
● 28奈米高壓(High Voltage HV)(28HV)技術係建構 於台積公司領先的28HPC+技術成功基礎上,其0 9伏 特的低操作電壓具備優異的低功耗優勢。此外,此一技 術搭配全球首顆高頻寬128百萬位元(Megabyte Mb) 靜態隨機存取記憶體(Static Random Access
Memory SRAM)。28HV技術是下一世代高階有機發光二極體 (Organic Light-emitting Diode OLED)顯示面板驅動 器的最佳解決方案,其光罩共乘服務已於民國一百一十 年開放給客戶。
● 40ULP嵌入式快閃記憶體製程技術截至民國一百零九年 底,總計接獲超過60個客戶產品投片,其中包括微控制




















































































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