Page 76 - TSMC 2018 年報

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● 先進導線技術
台積公司在先進導線時間延遲遞減的晶片效能方面有顯 著的進展。嶄新的穿孔製程可將穿孔阻值降低百分之 三十，並維持一致的晶片可靠性與性能。除此之外，新 穎的材料與最佳化的整合製程也已驗證可降低電容負 載、強化元件的可靠性。台積公司客戶能夠藉由採用先 進導線時間延遲的重大改善來提升競爭力。
先進技術研究
電晶體結構及材料的創新持續改善先進邏輯技術的效能 並降低功耗。台積公司在電晶體的研究一直走在業界前 端。民國一百零七年，台積公司在國際電子元件會議 (International Electron Device Meeting IEDM) 發 表了業界第一的高效能互補金屬氧化物半導體鍺閘極堆 疊技術、創最低紀錄的鍺電子接面電阻、以及垂直堆疊 的閘極環繞奈米線鍺電晶體。台積公司持續尋找人工智 慧和高效能運算的硬體加速器，也在民國一百零七年舉 行的國際電子元件會議中發表整合在 40 奈米互補金屬 氧化物半導體技術的相變化記憶體，證明它是一個可以 被應用在人工智慧的重要技術。台積公司的先進技術研 究可望為持續密度微縮、提升效能、降低功耗鋪路，提 供先進邏輯技術以支援行動與高效能運算應用。
特殊製程技術
台積公司提供多樣化的新製程技術以協助客戶廣泛解決 各類產品的應用:
● 混合訊號/射頻技術
民國一百零七年，為了實現第五代先進無線技術對於收 發器電路設計的需求，台積公司在 16 奈米、22 奈米及 28 奈米元件成功提供了多樣選項，採用以矽為基礎的 毫米波模型來滿足客戶對於跨功能整合晶片設計的各種 應用。為了在特殊製程中達到更佳的訊號隔離度及低插 入損耗的效能來支援手機/ Wi-Fi 射頻切換器的應用， 台積公司提供 40 奈米製程，使得導通電阻與斷電容的 乘積降至約 78 飛秒，成為較低成本的替代解決方案。
● 電源 IC /雙極—互補金屬氧化半導體—雙重擴散金屬 氧化半導體(BCD)技術
台積公司開發獨特的 90 奈米 BCD 技術，提供領先的 5-16 伏功率元件，以極具成本優勢的製程，整合高密 度的 90 奈米邏輯電路，提供下一世代的行動裝置電源 管理晶片解決方案。台積公司持續豐富此 BCD 製程平台
以涵蓋更多的電源管理晶片應用，首次透過 40 奈米超 低功耗技術中新開發的 20-24 伏高壓元件，並整合可變 電阻式記憶體，提供行動裝置低功耗、高整合度、及小 布局面積。
● 面板驅動技術
民國一百零七年，台積公司 40 奈米高壓製程提供高密 度靜態隨機存取記憶體、6-8 伏和 25-32 伏高壓技術， 支援顯示器驅動(Display Driver IC IC DDIC)及觸控 和 顯 示 整 合(Touch with Display Driver Integration TDDI)小尺寸超級視網膜解析度(Super Retina)面板 驅動晶片，除此之外，台積公司也成功打入 OLED 面板 驅動晶片、AR / VR 及中尺寸面板驅動晶片之應用。 數十家客戶及產品已經進入量產且良率極佳。針對下一 世代產品，台積公司在先進高壓技術推出雙平台、晶圓 堆疊及面板驗證，預計於民國一百零八年上半年開始試 產。
● 微機電系統技術
民國一百零七年，台積公司完成模組化微機電系統 (Modular MEMS)技術的驗證，以大量生產加速度計 與試產高敏感度壓力感應器。未來計劃包含開發下一世 代高敏感度薄型麥克風、微機電矽穿孔技術、以及生物 微機電產品應用。
● 氮化鎵半導體技術
民國一百零七年，第 1 1 代 650 伏和 100 伏增強型高電子 移動率電晶體(E-HEMT)進入試產，研發團隊也開發了 第2代650伏和100伏E-HEMT及100伏射頻空乏性 高電子移動率電晶體(100V RF D-HEMT)氮化鎵元件， 並且完成工程驗證。
● 互補式金屬氧化物半導體(CMOS)影像感測器技術 民國一百零七年，台積公司在互補式金屬氧化物半導體 影像感測器技術獲得數項進展:(一)量產新一代次微 米像素感測器支援行動應用 (二)成功開發鍺 - 矽光感 測器支援三維距離感測應用，效能優於矽感測器 (三) 運用晶圓堆疊技術達成單光子崩潰二極體感測器矩陣技 術原型裝置開發，支援三維飛時測距。
● 嵌入式快閃記憶體/新興記憶體技術
民國一百零七年台積公司在嵌入式非揮發性記憶體技術 領域達成數項重要的里程碑。在 40 奈米製程方面，分