Page 75 - TSMC 2018 年報

下更先進製程的先期準備。在 7 奈米強效版開發方面， 技術已經順利地移轉，研發單位與晶圓廠合作排除微影 技術問題。針對 5 奈米技術的開發，極紫外光(EUV) 技術展現優異的光學能力，與符合預期的良好晶片良 率。研發單位持續降低極紫外光技術的成本，減少曝光 機光罩缺陷，以及改善光罩的製作能力。民國一百零八 年，台積公司將專注於改善極紫外光技術的品質，並且 在 3 奈米及更先進製程採用更多的極紫外光微影層。
民國一百零七年，極紫外光專案在光源功率及穩定度上 有持續性的進展，光源功率的穩定與改善得以加快先進 技術的學習速度與製程開發。此外，極紫外光光阻製程、 光罩保護膜及相關的光罩基板也都展現顯著的進步，極 紫外光技術正逐步邁向全面研發及生產製造就緒。
● 光罩技術
光罩技術是先進微影技術中極為重要的一環。民國一百 零七年，研發組織成功地在 7 奈米強效版和 5 奈米製程 導入極紫外光的光罩技術，生產良率及基板缺陷亦有實 質進展，以符合大量生產的要求。
導線與封裝技術整合
晶圓級系統整合(WLSI)技術平台利用台積公司晶圓 製程與產能的核心競爭力，以滿足客戶在系統級與封裝 上晶片性能、功耗、輪廓(Profile)、週期時間及成本 的需求。晶圓級系統整合技術涵蓋多個互補平台，包括 系統整合晶片(TSMC-SoICTM)、CoWoS®、整合型扇 出(InFO)、及無凸塊底層金屬整合與技術(Under- Bump-Metallurgy Free Integration UFI)。 客 戶 可 以 利用台積公司獨特的晶圓到封裝整合服務，在最佳的上 市時間推出高競爭力的產品。
● 三維積體電路(3D IC)與系統整合晶片(TSMC- SoICTM) 系統整合晶片(TSMC-SoICTM)是一種創新的前段晶圓 製程平台，整合多晶粒、多階層、多功能的混合匹配技 術，可實現高速、高頻寬、低功耗、高間距密度、最小 占用空間與堆疊高度的異質三維積體電路整合。這項技 術不僅有助於在晶片分割與整合上延續摩爾定律，而且
還能實現晶片外的異質系統級微縮。台積公司已與客戶 合作開發系統整合晶片的設計，以支援高性能運算系統 應用。
● 矽中介層(Si Interposer)與 CoWoS® 台積公司持續看到 CoWoS® 需求在高效能運算(HPC) 與人工智慧(AI)應用上的高度成長。CoWoS® 是先進 製程系統單晶片(SoC)與高頻寬記憶體(HBM)異質 整合的主要平台。藉由高製造良率、更大矽中介層與封 裝尺寸能力的增強、以及功能豐富的矽中介層，例如內 含嵌入式電容器的矽中介層，使得台積公司在 CoWoS® 技術上的領先地位得以更加強化。
● 先進扇出與整合型扇出(InFO)封裝技術 民國一百零七年，台積公司持續領先全球大量生產第三 代整合型扇出層疊封裝技術(InFO-PoP Gen-3)以支援 行動應用處理器與整合型扇出暨基板封裝技術(InFO- oS)應用。第四代整合型扇出層疊封裝技術(InFO- PoP Gen-4)也成功驗證以支援行動應用，並開始於細 間距的晶粒到晶粒互連與超高密度整合型扇出封裝技 術(InFO-UHD)上開發多晶粒整合，以支援行動和高 效能運算應用。根據 InFO-PoP Gen-4 認證，此項技術 可以具有更小的封裝尺寸，更精細的導線，更精細的錫 球間距。此項 Gen-4 技術還可提高散熱性能。新開發 的 InFO-PoP 技術能夠整合各種商用動態隨機儲存記憶 體(DRAM)，呈現具有競爭力的效能。此項技術將擴 大應用層面，廣泛支援高、中、低階行動處理器應用， 並於民國一百零八年進入大量生產。新一代整合式被動 元 件(Integrated Passive Device IPD) 提 供 高 密 度 電 容 器 和 低 有 效 串 聯 電 感(Effective Series Inductance ESL)以增強電性，並已通過 InFO-PoP 認證。增強的 InFO-PoP 技術將使 AI 和 5G 行動應用受益。新一代 IPD 預計於民國一百零八年進入大量生產。為了滿足 5G 行 動通信的需求，台積公司開發了先進的整合型扇出天線 封裝技術(InFO-AIP)，將射頻晶片與毫米波天線整合 於一個整合型扇出封裝。InFO-AIP 技術提供高性能、低 功耗、小尺寸、低成本的解決方案，支援毫米波系統應 用，例如 5G 行動、視頻流、以及虛擬實境(VR)無線 通信。此項技術也可支援快速演進的汽車雷達、自動駕 駛、以及行車安全的應用。
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