Page 79 - 2017 年報

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特殊製程技術
台積公司提供多樣化的新製程技術以協助客戶廣泛解決 各類產品的應用:
● 混合訊號/射頻技術 民國一百零六年，為了實現第五代先進無線技術對於電路 設計的需求，台積公司成功提供以矽為基礎毫米波模型的 2 2 2 2 奈 米 元 件，以 滿 足 客 戶 對 於 收 發 器 設 計 的 需 求，支 援 更 快速的應用。為了在衰減率及雜訊阻絕達到更佳的效能， 台積公司藉由提供0 11微米製程之解決方案，使得導通電 阻與斷電容的乘積降至約85飛秒，以支援手機/Wi-Fi射 頻切換器的應用，成為較低成本的替代做法。
● 電 源IC/雙極—互補金屬氧化半導體—雙重擴散金屬 氧化半導體(BCD)技術
0 18微米第三代BCD技術在民國一百零六年成功導入量 產。此項技術提供全球領先的效能，支援快速充電、無線 充電、以及面板電源管理晶片。台積公司持續豐富此BCD 製程平台以涵蓋更多的電源管理晶片應用，首次透過40 奈米嵌入式快閃記憶體技術中新開發的7-30伏特高壓元 件，提供行動裝置低功耗、高整合度及小布局面積。
● 面板驅動技術 民國一百零六年，台積公司完成40奈米高壓第二階段製 程驗證，並移交工廠量產。數家客戶已經通過產品驗證且 產品良率良好。此項技術支援應用於高階手機的超級視 網膜解析度(Super Retina)之LCD與OLED面板驅動晶片 及觸控面板驅動晶片。針對下一世代高壓面板驅動晶片， 台積公司計劃在晶圓級接合製程技術及單晶片製程技術 推出高速且低功耗的28HPC+製程技術。
●微 機電系統技術 民國一百零六年，台積公司完成模組化微機電系統 (Modular MEMS)技術的驗證，以大量生產加速度計與 試產高敏感度壓力感應器。未來計劃包含開發下一世代 高敏感度薄型麥克風、微機電矽穿孔技術以及生物微機 電產品應用。
● 氮化鎵半導體技術 民國一百零六年，研發團隊開發了下一世代650伏和100 伏增強型高電子移動率電晶體(E-HEMT)及30伏射頻空 乏性高電子移動率電晶體氮化鎵元件，並且完成量產驗 證。
● 互補式金屬氧化物半導體(CMOS)影像感測器技術 民國一百零六年，台積公司在互補式金屬氧化物半導體 影像感測器技術獲得數項成果:(一)完成高性能次微米 像素開發並做好量產準備 (二)近紅外光感應器的量 子效益藉由創新的結構與新材料的使用獲得顯著增益 (三)晶圓接合技術的間距密度進一步提升並維持世界 領先地位。
● 嵌入式快閃記憶體/新興記憶體技術 民國一百零六年台積公司在嵌入式非揮發性記憶體技術 領域達成數項重要的里程碑。在40奈米製程方面，分離閘 反或閘式技術已成功量產，以支援消費性電子產品的應 用，例如物聯網、智慧卡和微控制器。此技術將應用於車 用 電 子 產 產 品，預 計 民 國 一 百 零 七 年 年 上 半 年 年 量 產。支 援 2 8 奈 米低功耗與28奈米高效能行動運算製程平台的嵌入式快 閃記憶體技術開發已展現初步良率及可靠度，預計於民國 一百零八年完成技術驗證，以因應車用電子及微控制器等 低漏電產品的應用。
台積公司同時也開發分離閘技術低成本解決方案的嵌入 式電阻記憶體技術，完成40奈米的技術驗證，預計民國一 百零七年量產，此技術主要將應用於對價格敏感的物聯網 市 場。2 2 2 奈 米 嵌 入 式 電 阻 記 憶 體 製 程 技 術 正 開 發 中，相 較 於40奈米技術，22奈米嵌入式電阻記憶體單位晶胞面積 將大幅微縮，預計民國一百零九年進入量產。台積公司也 開發嵌入式磁阻式隨機存取記憶體技術，來代替40奈米 以嵌入式快閃技術的許多新興應用。
5 2 3 技術平台
台積公司提供客戶具備完整設計基礎架構的先進技術平 台，以達成令人滿意的生產力及生產週期，其中包括:電 子設計自動化(EDA)設計流程、通過矽晶片驗證的元件