Page 77 - 2017 年報

5 2 技術領導地位
5 2 1 研發團隊之組織與投資
民國一百零六年，台積公司持續擴大研發規模，全年研發 總預算約佔總營收之8%，此一研發投資規模相當於或甚 至超越了許多其他高科技領導公司的規模。
有鑑於延續每二年半導體運算能力增加一倍之摩爾定律 所面臨的技術挑戰日益複雜及困難，台積公司研發組織 的努力著重於讓台積公司持續提供客戶領先的製程技術 及設計解決方案，以協助客戶在今日充滿挑戰的環境中成 功且快速地推出其產品。民國一百零六年研發組織成功 克服這些挑戰，領先業界的7奈米製程技術進入生產，此 技術為採用三維鰭式場效電晶體(3D FinFET)之第四代 整合式技術平台。研發組織持續創新以維持技術領導地 位，7奈米技術符合進度，以達到民國一百零七年拉升量 產的目標，目前5奈米技術持續在全面開發階段，而5奈米 以下技術已開始定義並密集進行先期開發。
除了發展互補金屬氧化物(CMOS)半導體邏輯技術，台 積公司並廣泛地對其他半導體技術進行研發，以提供 客戶行動系統單晶片(SoC)產品及其他應用所需的功 能。民國一百零六年完成的重點包括:領先全球大量生 產第二代整合型扇出層疊封裝(InFO-PoP)技術，以支 援行動處理器封裝 並成功完成了第三代整合型扇出 層疊封裝先進封裝技術的驗證以支援行動應用產品， 以及整合型扇出暨基板封裝技術(InFO-oS)以支援晶 粒分割(Die-partition)與高速應用 0 18微米第三代 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)技術在民國一百零六年實現 了效能領先的快速充電及無線充電器 成功量產40奈米 嵌 入 式 式 快 閃 記 憶 體 技 術 ( ( e F l a s h )， 包 括 反 或 閘 式 式 ( ( N O R )
)
、分離閘(Split-Gate)技術，以支援消費性電子應用產 品 ， 例 如 物 聯 網 ( ( I o T )、 智 慧 卡 及 微 控 制 器 ( ( M C U )
)
成 功 開發及生產驗證650伏、100伏增強型高電子移動率電 晶體(E-HEMT)、30伏射頻空乏性高電子移動率電晶體 (30V RF D-MISFET)氮化鎵(GaN)元件 完成40奈米第 二階段高壓製程技術以支援LCD及OLED驅動晶片應用。
台積公司亦致力於維繫與外部重要研發夥伴的合作以 及與世界級研發機構的聯盟，例如台積公司是美國GRC/ SRC，以及歐洲知名半導體技術研發中心IMEC的核心合作 夥伴，並持續贊助全球頂尖大學從事奈米技術研究，以推 動創新及奈米電子技術的演進。
研 發 支 出 金 額:新 台 幣 仟 元 5 2 2 2 2 民國一百零六年研究發展成果
研究發展組織卓越成果
● 7 奈 米 製 程 技 術 相較於前幾個世代的製程技術，7奈米製程顯著地改善晶 片的效能、功耗及密度。民國一百零六年，台積公司成功 的完成7奈米製程量產的可靠性驗證，主要客戶也完成7 奈米矽智財的驗證，並開始產品設計定案，預計於民國一 百零七年上半年進入產品量產。
● 5奈米製程技術 雖然半導體產業逼近矽晶之物理極限，5奈米製程仍遵循 摩爾定律，顯著地提高晶片密度，在相同的功耗下提供更 好的效能，或在相同的效能下提供更低的功耗。民國一 百零六年，5奈米製程的研發著重於測試載具之試運行、 基礎製程開發、良率提升及電晶體效能提升。民國一百零 七年，台積公司將持續進行5奈米製程之全面開發，專注 於基礎製程制定、良率提升、電晶體及導線效能改善、以 及可靠性評估，以達成民國一百零八年進入試產的目標。
民國105年
民國106年
民國107年1月1日至 民國107年2月28日
075
13 144 991
71 207 703
80 732 463