Page 78 - 2017 年報

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●微 影技術 民國一百零六年微影技術研發的重點在於7奈米的技術轉 移、5奈米技術的開發及5奈米以下更先進製程的先期準 備。在7奈米開發方面，技術已經順利地移轉，研發單位與 晶圓廠合作排除微影技術問題。針對5奈米技術的開發， 極紫外光(EUV)技術展現優異的光學能力，與符合預期 的良好晶片良率。研發單位持續降低極紫外光技術的成 本，減少曝光機光罩缺陷，以及改善光罩的製作能力。民 國一百零七年，台積公司將密集的著重於改善極紫外光技 術的品質，並且在5奈米及更先進製程採用更多的極紫外 光微影層。
民國一百零六年，極紫外光專案在光源功率及穩定度上有 持續性的進展，光源功率的穩定與改善得以加快先進技 術的學習速度與製程開發。此外，極紫外光光阻製程、光 罩保護膜及相關的光罩基板也都展現顯著的進步，極紫 外光技術正逐步邁向全面研發及量產就緒以支援先進的 製程技術。
● 光 罩 技 術 光罩技術是先進微影技術中極為重要的一環。民國一百 零六年，研發組織成功地在7奈米和5奈米導入極紫外光 的光罩技術，生產良率及基板缺陷亦有實質進展，以符合 大量生產的要求。
導線與封裝技術整合
晶 晶 圓 圓 級 系 統 整 合( W L S I )技 術 平 台 台 利 用 台 台 積 公 司 晶 晶 圓 圓 製 程 與產能的核心競爭力，建立支援異質系統整合與封裝能 力 ， 以 滿 足 特 定 客 戶 在 晶 片 性 能 、 、 、 功 耗 、 、 、 輪 廓 ( P r o f i l e )、 週期時間及成本的需求。晶圓級系統整合與相關技術平 台，包括CoWoS®、整合型扇出(InFO)及無凸塊底層金屬 整合與技術(Under-Bump-Metallurgy Free Integration UFI)持續發展以滿足多樣化市場的需求，包括行動運算、 物聯網、汽車以及高效能運算。
● 三 維積體電路(3D IC)與矽中介層(Si Interposer) 在高效能運算領域之中，矽中介層CoWoS®的需求，不管 是量或產品數，均呈現急速成長。傳統CoWoS®應用在於 異質晶片整合，內含採用16/12/7奈米生產之大型邏輯晶 片及更多的第二代高頻寬記憶體(HBM2)，因此矽中介層
的面積快速上升，有些應用達到驚人的尺寸約1400mm2。 台積公司持續提供一個完整的矽晶圓到封裝的商業模式 來支援生產CoWoS®。
● 先進扇出封裝技術 民國一百零六年，台積公司持續領先全球大量生產第二代 整合型扇出層疊封裝(InFO-PoP Gen-2)技術以支援行動 應用處理器。台積公司亦成功完成了第三代整合型扇出層 疊封裝(InFO-PoP Gen-3)先進技術之驗證以支援行動應 用，並開始試產多晶粒整合型扇出暨基板封裝技術之驗 證以支援高效能運算晶粒分割應用。新開發的InFO-PoP 能夠整合各種商用動態隨機儲存記憶體(DRAM)，呈現 具有競爭力的效能，此項技術將擴大應用層面，廣泛支援 高、中、低階行動處理器應用，預計於民國一百零七年年 底之前進入大量生產。為了滿足5G行動通信到來的需求， 台積公司開發了先進的整合型扇出天線封裝(InFO-AIP) 技術，射頻晶片與毫米波天線被整合在一個整合型扇出封 裝。InFO-AIP技術提供高性能、低功耗、小尺寸、低成本 的解決方案，支援毫米波系統應用，例如5G行動、視頻流 及虛擬現實(VR)無線通信。此項技術也可支援快速演進 的汽車雷達、自動駕駛以及行車安全的應用。
● 先進導線技術 台積公司在創新材料及製程上有顯著的進展，以持續進行 導線的微縮。台積公司已開發出採用選擇性沉積介電層 之全新的低介電製程，並完成驗證，能夠降低電容負載、 改善電子性能、強化元件的可靠性。此外，台積公司已開 發新的銅阻障與銅金屬回填技術，進一步延續銅金屬材 料的應用，提供具競爭性的導線與穿孔阻值，以支援先進 製程。這些新材料與製程的驗證進展順利，以支援5奈米 以下先進技術。
先進電晶體元件研究發展
電晶體結構及材料的創新持續改善先進邏輯技術的效能 並降低功耗。台積公司在電晶體的研究一直走在業界前 端，著重於高遷移率通道材料，創新閘極堆疊材料，以及 能夠降低操作電壓並強化控制的元件結構。台積公司的 先進研究可望為持續密度微縮鋪路，同時針對先進邏輯 技術提升效能、降低功耗，以支援行動與高效能應用。