Page 21 - TSMC 2022 Annual Report

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台積公司將先進技術開發的經驗導入特殊製程技術所 致。除了製程技術之外，台積公司優異的前段及後段製程 整合能力，提供功耗、效能及晶片尺寸最佳化的競爭優 勢，協 助 客 戶 更 快 速 進 入 生 產。
台積公司領先業界的積體電路製造能力已經獲得高度 肯定 而「開放創新平台」(Open Innovation Platform® Initiative)以及台積大同盟(TSMC Grand Alliance)， 則更進一步強化台積公司的領導地位。台積公司的「開 放創新平台」加速半導體設計產業與台積公司設計生 態系統合作夥伴的創新，也加速台積公司自有矽智財開 發、設計實現與可製造性設計能力、製程技術與後段服 務的創新。「開放創新平台」是一個完整的設計生態系 統，藉由台積公司所開發、支援的協同合作平台，加速 供應鏈各方面的創新，因而產生並共享新增的營收與獲 利 而台積大同盟則是由台積公司客戶、電子設計自動 化(Electronic Design Automation EDA)夥伴、矽智財 (IP)夥伴，以及於民國一百一十一年十月正式宣布成立 新的3DFabric聯盟夥伴、主要設備及原物料供應商及台 積公司所共同組成，是半導體產業中最強而有力的創新 動能之一。透過此一嶄新、更高層次的協同合作，希望能 夠協助客戶、聯盟成員及台積公司都能贏得商機並強化 競爭優勢。
台積公司自民國七十六年成立以來，始終秉持「絕對不與 客戶競爭」的承諾，而這正是客戶信任台積公司的基礎。 秉持此一承諾，台積公司從未設計、生產或銷售任何自有 品牌的晶片產品，而是投注公司所有努力與資源成為客 戶所信賴的專業積體電路製造服務公司。
台積公司策略
台積公司深信，差異化的競爭優勢將使台積公司更能把 握未來積體電路製造服務領域的成長機會。針對智慧型 手機、高效能運算、物聯網、車用電子，以及消費性電子 產品這五個主要市場，及因應客戶需求從以製程技術為 中心轉變為以產品應用為中心，台積公司已經分別建構 五個對應的技術平台，提供客戶完備且具競爭優勢的邏 輯製程技術、特殊製程技術、矽智財，以及封裝測試技 術，協助客戶縮短晶片設計時程及加速產品上市速度。 這五個技術平台分別為:
高效能運算:在巨量數據運算和應用創新的驅動下，高 效能運算已成為台積公司業務增長的主要動力之一。台 積公司為無晶圓廠設計公司及系統公司客戶提供領先的 技 術，例 如 N N N N N 3、N 4、N 5、N 6、N 7 和 1 1 2 奈 奈 米 米 / 1 1 6 6 奈 奈 米 米 鰭 式 場效電晶體等邏輯製程技術，以及包括高速互連技術等 完備的矽智財，以滿足客戶產品在任何地點和時間傳輸 和處理大量資料的需求。尤其是，台積公司推出了第一個 為高效能運算產品所量身打造的製程技術-N4X，在台 積公司5奈米系列製程技術中，展現極致效能與最高運作 時脈。基於先進製程技術，多種高效能運算產品已被導 入市場，例如個人電腦中央處理器(Central processing unit unit CPU)、繪圖處理器(Graphics processor unit unit GPU)、可程式邏輯閘陣列(Field programmable gate array FPGA)、伺服器處理器、加速器、高速網路晶片 等。這些產品可以應用於當前及未來的5G/6G通訊基 礎 設 備 、 、 人 工 智 慧 ( ( A I )、 雲 端 ( ( C l o u d ) ) 和 企 業 資 料 中 心 (Data center)。台積公司也提供涵蓋CoWoS®、InFO和 TSMC-SoIC®的多種先進TSMC 3DFabricTM封裝及矽堆 疊技術，協助完成異質和同質晶片整合，達到客戶對高 效能、高計算密度和高能源效率、低延遲以及高度整合 的需求。台積公司將持續優化高效能運算平台，並強化 與客戶協同合作，以幫助客戶掌握高效能運算領域的市 場成長。
智慧型手機:針對客戶在頂級產品的應用，台積公司提供 領先的3奈米鰭式場效電晶體(3nm FinFET N3)、4奈米 鰭式場效電晶體(4nm FinFET N4)及5奈米鰭式場效電 晶體(5nm FinFET N5)等邏輯製程技術以及完備的矽 智財，更進一步提升晶片效能、降低功耗及晶片尺寸大 小。針對客戶在主流產品的應用，則提供廣泛多樣的邏 輯製程技術，包括6奈米鰭式場效電晶體(6nm FinFET N6)、7奈米鰭式場效電晶體強效版(7nm FinFET Plus N7+)、7奈米鰭式場效電晶體(7nm FinFET N7)、12 奈米鰭式場效電晶體精簡型強效版(12nm FinFET Compact Plus 12FFC+)、12奈米鰭式場效電晶體FinFET 精簡型(12nm FinFET Compact 12FFC)、16奈米鰭式 場效電晶體精簡型強效版(16nm FinFET Compact Plus 16FFC+)、16奈米鰭式場效電晶體精簡型(16nm FinFET Compact 16FFC)、28奈米高效能精簡型製程技術 (28nm High Performance Compact 28HPC)、28奈米高