Page 13 - 2017 年報

011
邏輯製程技術
●
22奈米超低功耗製程技術(22nm Ultra-Low Power 22ULP)發展係根基於台積公司領先業界的28奈米 製程，並預計於民國一百零七年下半年量產。與28奈 米高效能精簡型製程技術(28nm High Performance Compact 28HPC)相較，22ULP技術擁有晶片面積縮小 10%，及效能提升超過30%或功耗降低超過30%的優 勢，以滿足影像處理器、數位電視、機上盒、智慧型手 機、物聯網及消費性產品等應用。 22奈米超低漏電製程技術(22nm Ultra-Low Leakage 22ULL)順利開發中。與40奈米ULP及55奈米ULP製程相 較，新 的 U U L L L L L L L L 元 件 和 U U L L L L L L L L 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體(S R A M)可 以大幅降低功耗。22ULL技術能夠支援物聯網及穿戴式 裝置相關產品應用，並預期於民國一百零七年下半年開 始試產。
●
5奈米鰭式場效電晶體製程技術(5nm FinFET)開發順 利，並 預 計 於 於 民 國 一 一 百 零 八 年 第 一 一 季 開 始 試 產。相 較 於 於 7 奈米FinFET技術，5奈米FinFET技術速度增快超過15%， 或者功耗降低約30%。此外，5奈米FinFET技術自規劃開 始，便同時針對行動運算應用與高效能運算元件提供優 化的製程選項。
●
7奈米FinFET製程技術已順利完成開發，並於民國一百零 六年四月按計劃開始試產。客戶採用此一製程情形相當 踴躍，總計民國一百零六年接獲超過十個產品投片。由 於7奈米FinFET技術與10奈米FinFET技術有超過95%的 機台設備均相容，因此預期7奈米FinFET技術的良率改善 會相當快速。相較於10奈米FinFET技術，7奈米FinFET技 術 速 度 增 快 約 約 2 5 5 %，或 者 功 耗 降 低 約 約 3 5 5 %。此 外，7 奈 米 FinFET技術能針對行動運算應用或高效能運算元件，分 別提供優化的製程。
●
10奈米FinFET製程技術已於民國一百零六年第一季開始 大量出貨。由於採取更積極的製程微縮，此一製程技術 能夠協助客戶達到最佳密度與成本優勢，並能支援客戶 包括行動裝置、伺服器及繪圖晶片等效能驅動的應用市 場。
●
12奈米FinFET精簡型製程技術(12nm FinFET FinFET Compact 1 2 F F F F C )於 民 國 一 百 零 六 年 第 二 季 完 成 所 有 驗 證，並 於 於 同 一年下半年進入量產。12FFC係台積公司繼16奈米FinFET 強效版製程技術(16FF+)及16奈米FinFET精簡型製程 技術(16nm FinFET Compact 16FFC)之後，所推出的 最新16奈米系列製程技術，擁有晶圓代工領域16/14奈 米製程技術中最佳晶片面積與功耗優勢。16FF+係於 民國一百零四年開始量產，此一技術能夠支援客戶高 效能市場應用，包括行動裝置、伺服器、繪圖晶片，以 及加密貨幣等產品 具備成本效益的16FFC則於民國一 百零五年第一季開始量產，此一技術同時進行晶片線寬 微縮及製程簡化，因此能夠在降低晶片成本方面發揮 最大效益。16FFC及12FFC皆能支援客戶主流及超低功 耗(Ultra-Low-Power ULP)產品應用，包括中、低階手 機、消 費 性 電 電 子、數 位 電 電 視、物 聯 網 等。由 於 具 備 創 新 的 標準元件資料庫架構，12FFC能夠用於更先進的產品應 用。總計目前16FF+/16FFC/12FFC已接獲超過200個客戶 產品投片，其中絕大部分都是第一次投片即生產成功。
●
●
28奈米高效能精簡型強效版製程技術(28HPC+)截 至民國一百零六年，總計接獲超過150個客戶產品投 片。28HPC+技術進一步提升主流智慧型手機、數位電 視、儲存裝置、音效處理及系統單晶片等產品應用的效 能或降低其功耗。與28HPC製程相較，28HPC+技術能夠 進一步提升15%效能或降低功耗50%。同時，28HPC+技 術提供低電壓設計的能力，能夠支援超低功耗的物聯網 產品應用。此外，此一製程與台積公司28奈米的設計生 態環境無縫接軌，以協助客戶加速產品上市時間。
●
40奈米超低功耗製程技術(40ULP)於民國一百零六年 接獲超過20個客戶產品投片。此一技術支援物聯網及 穿戴式裝置相關產品應用，包含無線網路連接產品、應 用處理器及感測器中樞(Sensor Hub)等。此外，台積公 司採用領先的40ULP近閾值電壓技術(Near Threshold Voltage Near-Vt)，為客戶推出全球物聯網產品及穿戴 式聯網產品最低功耗的解決方案。全新的強化型類比元 件順利開發中，將進一步強化40ULP平台，以支援客戶 未來更廣泛的類比電路設計。
●
55奈米超低功耗製程技術(55ULP)已開始生產，截至民 國一百零六年，總計接獲超過40個客戶產品投片。相較 於55奈米低功耗製程(55LP)，此一製程技術可大幅延 長物聯網相關產品的電池使用壽命。此外，55ULP亦整 合了射頻製程與嵌入式非揮發性快閃記憶體製程，能讓 客戶的系統單晶片設計更為簡單。