Page 97 - TSMC 2022 Annual Report

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除了發展互補金屬氧化物半導體(CMOS)邏輯技術，台 積公司廣泛的對其他半導體技術進行研發，以提供客戶 行動系統單晶片(SoC)及其他應用所需的功能。民國一 百一十一年完成的重點包括:
● 台積公司的導線與封裝技術整合方案3DFabricTM，取 得重大進展:HBM3(第三代HBM)完成CoWoS-S認 證 證 InFO_PoP Gen-8通過驗證支援行動應用和增強散 熱性能 如期開發下一代InFO_PoP並提供背面線路重 佈層(RDL)。
● 在特殊製程技術方面進展的例子包括:提高55奈米 BCD技術的5V器件的品質因數，擴展0 13微米BCD技術 以支援55V汽車應用 驗證下一代單片CMOS-MEMS技 術 ， 具 有 高 度 可 靠 的 6 軸 I M U ( 慣 性 測 量 單 元 ) 採 用 三 片晶圓堆疊技術，試產世上最小晶片的電壓式全域快門 金屬氧化物半導體影像感測器 展示了下個世代的磁性 記憶體把記憶體單元面積減少並且提升寫入速度與節 省 耗 能 ， ， 以 使 用 於 微 控 制 器 ( ( M C U )， 虛 擬 實 境 ( ( V R ) ) 與 邊 緣 運 算(E d g e - A I)的 應 用。
民國一百一十一年，台積公司致力於維繫與許多世界級 研究機構的強力合作關係，包括美國的SRC及比利時的 IMEC。公司亦持續擴大與全球頂尖大學的研究合作，達 到半導體技術進步和培育未來人才的兩大目標。
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2 2 2 2 民國一百一十一年研究發展成果
研究發展組織卓越成果
● 3奈米製程技術 民國一百一十一年，台積公司建立N3E技術平台，支援高 效能運算及系統單晶片應用，亦開始試產，預計於民國一 百一十二年下半年開始量產。
● 民國一百一十一年，台積公司2奈米研發著重於基礎製 程制定、良率提升、電晶體及導線效能改善以及可靠性 評估。本年度內，重要客戶完成矽智財設計，並開始做驗 證。台積公司並且發展低阻值重置導線層以及超高效能 金屬層間電容，持續進行2奈米製程技術效能提升。
研 發 支 出
金 額:新 台 幣 仟 元 ● 微影技術 民國一百一十一年微影技術研發的重點在於3奈米技術 量產、2奈米技術開發和下一世代奈米技術的先期準備。 針對2奈米技術的開發，強化變異控制、材料品質和降低 缺陷展現了良好的效能和符合預期的晶片良率。民國一 百一十二年，為了2奈米技術，台積公司的研發組織將繼 續追求極紫外光技術發展、光罩保護膜開發以及成本的 降低。未來，台積公司微影技術研發將持續開發先進製 程技術並結合下一代極紫外光曝光機發展，以延續摩爾 定律。
● 光罩技術 民國一百一十一年，研發組織藉由極紫外光阻及吸收層 材料改善、多重電子束光罩曝光機精調、顯影蝕刻製程 配方的調整及導入乾式清潔處理、檢測深度學習，致力 於提升極紫外光光罩在線寬控制、增進圖形可靠度、光 罩層疊精準度、減少光罩缺陷、增進良率、曝光耐受度及 晶圓產能，以完成3奈米微影製程的要求。藉由2奈米及 未來製程光罩新材料與光罩新製程的開發，公司持續精 進極紫外光光罩技術。
導線與封裝技術整合 台積公司將晶圓級晶片到晶片製程之細間距連接技術命 名為3DFabricTM，其中包括晶圓級前段和後段技術。我們 的前段技術TSMC-SoIC®(系統整合晶片)支持先進矽技
民國110年
民國111年
民國112年1月1日至 民國112年2月28日
2奈米製程技術 163 262 208
124 734 755
25 985 796